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【大學教育課程】 > 工程技術學科 > 電氣|電子|通信|自動 |
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| 課程名稱: 積體電路製造工藝 |
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| 課程編號： |
MS_5474 |
系列: |
(大學)國家級課程 |
授課學校： |
江蘇資訊職業技術學院 |
授時: |
全 88 講 |
| 授課語言： |
中文 |
光碟版: |
1 片教程光碟(mp4檔) |
| 其他說明： |
.......... |
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| 簡 介： |
本課程是我院省品牌建設專業--微電子技術專業的重要核心課程，是無錫市精品課程和精品資源共享課程。課程團隊編寫的教材獲評國家「十二五規劃」教材，《氧化工藝設備的操.......... |
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| 光碟版： |
NT$ 650 元
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本課程是我院省品牌建設專業--微電子技術專業的重要核心課程，是無錫市精品課程和精品資源共享課程。課程團隊編寫的教材獲評國家「十二五規劃」教材，《氧化工藝設備的操作》和《二極管工藝參數的設計》《芯片製造中擴散工藝的設計與操作》分別獲得國家和江蘇省「信息化教學設計大賽一等獎、二等獎」。 |
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—— 課程團隊 |
課程概述
本課程主要講授集成電路製造的工藝原理、方法、設備及工藝中主要參數的測試和質量控制方法。在結構上對應集成電路產業鏈的環節，以集成電路生產過程為導向，根據企業崗位設置，對教學內容進行模塊化設計，分基礎模塊、核心模塊，拓展模塊、提升模塊四部分。設計既注重學生對集成電路的整個工藝過程有一完整的瞭解，同時又重點突出對集成電路芯片製造的五個核心工藝的把握。本次課程開設會補充部分最新的工藝技術及集成電路工藝仿真部分的內容
授課目標
學生通過本課程的學習，能夠掌握集成電路芯片製造的過程、原理、方法、設備操作及工藝參數等基本理論，能夠根據半導體器件及集成電路芯片的製造技術要求，制定相關的工藝文件，分析工藝質量問題，操作核心工藝設備，能夠養成良好的職業習慣，將來可以做一個合格的芯片前道製造技術員和半導體專用設備維護員；同時還可以根據工藝參數的具體要求，正確操作各種後道封裝與測試設備，重點包括裝片、鍵合、包封、切筋、分選測試、激光打印等，為做一個半導體芯片後道封裝、測試技術員打下基礎。
課程大綱
第一單元 集成電路製造工藝發展概況
通過本章的學習，使學員瞭解集成電路製造工藝發展歷史、當前現狀，集成電路芯片製造所需的超淨環境，瞭解芯片製造所用的半導體材料，掌握單晶硅和硅拋光片的制備流程，瞭解芯片製造的基本工藝流程。
課時
1.1 集成電路製造工藝發展概況
1.2 集成電路基本工藝流程
1.3 集成電路芯片製造超淨環境
1.4 襯底材料制備
第二單元 薄膜制備技術
通過本章的學習，使學員瞭解半導體集成電路中常見的薄膜有哪些，並重點掌握利用薄膜生長-熱氧化工藝、薄膜澱積--化學氣相澱積工藝和物理氣相澱積工藝，以及外延工藝。
課時
2.1 半導體生產中常用的薄膜
2.2 薄膜生長-SiO2的熱氧化
2.3 化學氣相澱積
2.4 物理氣相澱積
2.5 外延生長
第三單元 光刻技術
通過本章的學習，使學員理解光刻工藝的基本原理及光刻膠的性能，理解並熟練掌握常規光刻的工藝流程，理解光刻的質量檢驗方法，瞭解其他光刻方法。
課時
3.1 光刻工藝的基本原理
3.2 光刻膠
3.3 光刻工藝的基本流程
3.4 先進的光刻工藝
第四單元 刻蝕技術
通過本章的學習，使學員理解刻蝕的作用及工藝要求、濕法刻蝕的原理、常用薄膜的濕法刻蝕工藝、干法刻蝕的原理、常用薄膜的干法刻蝕工藝。
課時
4.1 刻蝕的基本概念
4.2 濕法刻蝕
4.3 干法刻蝕
4.4 去膠
第五單元 摻雜技術
通過本章的學習，使學員理解擴散的機構和原理，掌握擴散層的主要參數，擴散方法，理解擴散層參數的檢測方法，理解離子注入的基本原理，熟練掌握離子注入的設和過程，瞭解離子注入後的退火。
課時
5.1 擴散的基本原理
5.2 擴散方法
5.3擴散的質量參數及檢
5.4離子注入的基本原理
5.5離子注入的設備
5.6離子注入的損傷與退火
第六單元 平坦化與金屬化技術
通過本章的學習，使學員瞭解平坦化的意義及傳統的平坦化工藝方法，掌握當前比較常用的CMP平坦化的原理、設備結構、質量影響因素及CMP的應用，瞭解金屬化的概念和常用方法。
課時
6.1 傳統的平坦化方法
6.2 CMP 技術
6.3 金屬化工藝
第七單元 硅片的清洗技術
通過本章的學習，使學員瞭解集成電路生產的主要淨化技術，掌握半導體生產中常見的沾污，掌握常見的清洗工藝以及常用的純水制備技術
課時
7.1 清洗技術
7.2 純水制備技術
第八單元 組裝工藝
通過本章的學習，使學員掌握組裝工藝的工藝流程，理解組裝工序的工藝原理和方法，特別是引線鍵合及封裝工藝的原理、方法及特點。
課時
8.1 芯片組裝工藝流程
8.2 引線鍵合技術
8.3 封裝技術
第九單元 集成電路測試與可靠性分析
通過本章的學習，使學員瞭解集成電路中工藝參數測試的方法及採用的設備，可靠性分析的內容和方法。
課時
9.1 集成電路測試
9.2 集成電路可靠性分析
第十單元 集成電路的工藝設計與仿真
通過本章的學習，使學員進一步瞭解二極管、晶體管、MOS管工藝流程，並通過工藝仿真瞭解工藝參數與器件性能之間的關係，學會使用SILVACO工藝仿真軟件進行工藝設計與優化。
課時
10.1二極管的工藝設計與仿真
10.2 晶體管的工藝設計與仿真
10.3 MOS管的工藝設計與仿真
10.4 CMOS工藝設計與仿真
課程列表
第01講 1.1.1集成電路製造工藝的發展歷史 - 集成電路製造工藝課程介紹 →00:01:49
第02講 1.1.2集成電路製造工藝的發展歷史 - 集成電路製造工藝的發展歷史 →00:10:16
第03講 1.1.3集成電路製造工藝的發展歷史 - 從沙子到硅芯片的製造展示 →00:06:01
第04講 1.1.4集成電路製造工藝的發展歷史 - Discovery生產線上-半導體集成電路介紹 →00:06:31
第05講 1.2.1分立器件和集成電路製造工藝流程 - 分立器件和集成電路製造工藝流程 →00:08:52
第06講 1.2.2分立器件和集成電路製造工藝流程 - 雙極型集成電路製造工藝流程 →00:09:23
第07講 1.2.3分立器件和集成電路製造工藝流程 - CMOS製造工藝流程 →00:10:37
第08講 1.2.4分立器件和集成電路製造工藝流程 - SiliconRunI微芯片的今生來世 →00:38:29
第09講 1.2.5分立器件和集成電路製造工藝流程 - 鰭式晶體管FinFET技術的發明人胡正明教授 →00:06:17
第10講 2.1.1半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.1半導體生產中常見的薄膜 →00:04:12
第11講 2.1.2半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.1二氧化硅的結構與性質 →00:06:19
第12講 2.1.3半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.1二氧化硅的作用 →00:05:26
第13講 2.1.4半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.1氮化硅的結構與性質 →00:05:30
第14講 2.1.5半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.2半導體膜 →00:05:48
第15講 2.1.6半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.3鋁互連 →00:06:50
第16講 2.1.7半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.3銅互連 →00:08:09
第17講 2.1.8半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.3鎢的性質與用途 →00:04:53
第18講 2.1.9半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.3硅化金屬 →00:09:05
第19講 2.1.10半導體生產中常用的薄膜 - 2.1.3多層互連 →00:06:30
第20講 2.2.1薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.1熱氧化機理 →00:07:32
第21講 2.2.2薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.1影響熱氧化的速率 →00:05:00
第22講 2.2.3薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.2基本的熱氧化方法 →00:03:37
第23講 2.2.4薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.3氧化硅設備及操作規程 →00:06:47
第24講 2.2.5薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.5硅-二氧化硅系統電荷 →00:06:31
第25講 2.2.6薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.4其他熱氧化方法 →00:06:12
第26講 2.2.7薄膜生長-SiO2的熱氧化 - 2.2.6二氧化硅的質量分析 →00:05:53
第27講 2.3.1化學氣相澱積 - 化學氣相澱積原理 →00:04:36
第28講 2.3.2化學氣相澱積 - 常用薄膜的化學氣相澱積 →00:05:14
第29講 2.4.1物理氣相澱積 - 物理氣相澱積-蒸發 →00:05:48
第30講 2.4.2物理氣相澱積 - 物理氣相澱積-濺射 →00:06:31
第31講 2.4.3物理氣相澱積 - 金屬薄膜的濺射工藝實踐操作 →00:09:12
第32講 2.5.1外延生長 - 外延生長 →00:07:42
第33講 3.1.1光刻工藝的基本原理 - 光刻工藝的基本原理 →00:02:29
第34講 3.2.1光刻膠 - 光刻膠的性質 →00:03:08
第35講 3.2.2光刻膠 - 正膠與負膠 →00:03:59
第36講 3.3.1光刻工藝的基本流程 - 光刻工藝的基本流程 →00:07:39
第37講 3.3.2光刻工藝的基本流程 - 接觸式光刻技術實踐操作 →00:09:53
第38講 3.4.1先進的光刻工藝 - 先進的光刻工藝 →00:11:02
第39講 4.1.1刻蝕的基本概念 - 刻蝕的基本概念 →00:03:13
第40講 4.2.1濕法刻蝕 - 濕法刻蝕 →00:03:25
第41講 4.3.1干法刻蝕 - 干法刻蝕 →00:03:50
第42講 4.4.1去膠 - 去膠 →00:05:11
第43講 5.1.1擴散的基本原理 - 熱擴散的基本原理 →00:04:33
第44講 5.1.2擴散的基本原理 - 影響雜質擴散的其他因素 →00:06:42
第45講 5.2.1擴散方法 - 熱擴散的方法 →00:04:25
第46講 5.3.1擴散的質量參數及檢測 - 擴散層的質量參數與檢測 →00:04:54
第47講 5.4.1離子注入的基本原理 - 離子注入的基本原理 →00:03:38
第48講 5.5.1離子注入的設備 - 離子注入的設備 →00:03:49
第49講 5.6.1離子注入的損傷與退火 - 離子注入的損傷與退火 →00:01:49
第50講 6.1.1平坦化的基本原理 - 平坦化的基本原理 →00:04:40
第51講 6.2.1傳統的平坦化方法 - 傳統的平坦化方法 →00:02:31
第52講 6.3.1CMP平坦化 - 先進的平坦化技術CMP →00:07:58
第53講 6.3.2CMP平坦化 - CMP平坦化的應用 →00:08:06
第54講 7.1.1硅單晶的制備 - 硅單晶的制備 →00:09:15
第55講 7.2.1單晶硅的質量檢驗 - 單晶硅的質量檢驗 →00:07:04
第56講 7.3.1硅圓片的制備 - 硅圓片的制備 →00:03:45
第57講 8.1.1芯片組裝工藝流程 - 8.1.1芯片組裝工藝流程概述 →00:05:32
第58講 8.1.2芯片組裝工藝流程 - 8.1.4芯片黏貼技術 →00:05:05
第59講 8.1.3芯片組裝工藝流程 - 8.1.7打印技術 →00:07:16
第60講 8.1.4芯片組裝工藝流程 - 8.1.7切筋成型與打碼技術 →00:13:48
第61講 8.1.5芯片組裝工藝流程 - 8.1.7去飛邊與電鍍 →00:05:49
第62講 8.1.6芯片組裝工藝流程 - 8.1.6塑封工藝流程及質量檢測 →00:06:43
第63講 8.1.7芯片組裝工藝流程 - 8.1.6塑封成型技術 →00:03:51
第64講 8.1.8芯片組裝工藝流程 - 8.1.5引線鍵合質量分析 →00:04:47
第65講 8.1.9芯片組裝工藝流程 - 8.1.5芯片互連技術 →00:03:38
第66講 8.1.10芯片組裝工藝流程 - 8.1.4芯片貼裝技術 →00:11:09
第67講 8.1.11芯片組裝工藝流程 - 8.1.3劃片工藝 →00:04:54
第68講 8.1.12芯片組裝工藝流程 - 8.1.2背面減薄與拋光 →00:05:00
第69講 8.2.1引線鍵合技術 - 打線鍵合技術 →00:05:29
第70講 8.2.2引線鍵合技術 - 8.2.1引線鍵合基本概念 →00:02:55
第71講 8.2.3引線鍵合技術 - 8.2.2引線鍵合的工具 →00:02:21
第72講 8.2.4引線鍵合技術 - 8.2.3引線鍵合形式 →00:06:45
第73講 8.3.1封裝技術 - 8.3.1芯片封裝概述 →00:05:10
第74講 8.3.2封裝技術 - 8.3.2封裝的分類 →00:03:15
第75講 8.3.3封裝技術 - 8.3.3封裝技術的發展 →00:03:50
第76講 9.1.1潔淨技術等級 - 潔淨技術等級 →00:05:38
第77講 9.2.1潔淨設備 - 潔淨設備 →00:08:01
第78講 9.3.1清洗技術 - 清洗技術 →00:08:49
第79講 9.4.1純水制備 - 純水制備 →00:03:45
第80講 10.1.1CMOS反相器的工作原理和結構 - CMOS反相器的工作原理和結構 →00:09:27
第81講 10.2.1CMOS集成電路的工藝流程 - CMOS集成電路的工藝流程 →00:06:42
第82講 10.3.1CMOS中其他相關工藝 - CMOS中其他相關工藝 →00:08:05
第83講 11.1.1集成電路測試 - 集成電路測試2 →00:11:59
第84講 11.1.2集成電路測試 - 集成電路測試1 →00:06:31
第85講 11.2.1集成電路可靠性分析 - 集成電路可靠性分析 →00:12:03
第86講 12.1.1二極管工藝參數的設計與仿真 - 二極管工藝參數的設計與仿真操作 →00:21:13
第87講 12.2.1NMOS的工藝參數設計與仿真 - NMOS工藝參數的設計與仿真操作 →00:16:51
第88講 12.3.1NPN晶踢館的工藝參數設計與仿真 - NPN晶體管的工藝參數設計與仿真操作 →00:16:18
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